پروژه پاورپوینت حافظه داخلی تحت word

توجه : این پروژه به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 پروژه پاورپوینت حافظه داخلی تحت word دارای 11 اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در Power Point می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل پاور پوینت پروژه پاورپوینت حافظه داخلی تحت word   کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

---

لطفا به نکات زیر در هنگام خرید

دانلودپروژه پاورپوینت حافظه داخلی تحت word

توجه فرمایید.

1-در این مطلب، متن اسلاید های اولیه 

دانلودپروژه پاورپوینت حافظه داخلی تحت word

قرار داده شده است

2-به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید

3-پس از پرداخت هزینه ، حداکثر طی 12 ساعت پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما ارسال خواهد شد

4-در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

5-در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون زیر قرار داده نشده است

---

بخشی از متن پروژه پاورپوینت حافظه داخلی تحت word :

اسلاید 1 :

حافظه

حافظه سیستم، مکانی است که در آنجا کامپیوتر برنامه‌های جاری و داده‌های مورد استفاده را نگهداری می‌نماید و به دلیل قدرتمند شدن دائمی نرم‌افزارها، حافظه سیستم با گام‌های پرشتاب، رو به افزایش است. ذخیره و بازیابی داده‌ها از یک بلوک بزرگ حافظه زمان بسیار بیشتری را نسبت به یک بلوک کوچک می‌طلبد. با یک حجم وسیعی از فضای حافظه اصلی بسیار زیاد می‌باشد و این امر، منجر به ایجاد لایه‌های اضافی کاشه در سلسله مراتب حافظه می‌گردد.

هنگامی که بحث سرعت دسترسی به حافظه مطرح می‌شود، همواره یک شکاف رو به افزایش بین پردازنده‌ها و تراشه‌های حافظه وجود دارد. این بدان معناست که پردازنده‌ها دائماً با زمان انتظار بیشتر برای خواندن و نوشتن داده‌ها روی حافظه اصلی مواجه هستند. یک راه حل، استفاده از حافظه کاشه بین حافظه اصلی و پردازنده و نیز استفاده از سیستم‌های الکترونیکی هوشمندتر برای تضمین این که ملزومات داده‌ای پردازنده از قبل در حافظه کاشه قرار می‌گیرد.

اسلاید 2 :

حافظه اصلی

در سلسله مراتب حافظه، سطح سوم حافظه اصلی سیستم، Ram می‌باشد. حافظه منبع موقتی نگهداری داده‌ها بوده و محیط حافظه اصلی قابل دسترسی توسط دیسک سخت می‌باشد. این حافظه به عنوان حافظه میانی بین دیسک سخت و پردازنده بکار می‌رود. هرچه داده‌های بیشتری را بتوان در داخل حافظه Ram ذخیره نمود، سرعت اجرای PC افزایش خواهد یافت. حافظه اصلی از طریق باس‌های آدرس و داده به پردازنده منتقل می‌شود. هر باس دارای یک تعداد مدار الکتریکی یا بیت است.

هر مبادله داده بین CPU و حافظه، یک سیکل باس نام دارد. تعداد بیت‌های داده‌ای که یک CPU در طی یک سیکل باس واحد قادر به انتقال می‌باشد، روی عملکرد کامپیوتر تاثیر می‌گذارد. حافظه اصلی از تراشه‌های DRam (دینامیکی) یا زم‌دینامیکی تشکیل می‌شود. [1]

اسلاید 3 :

DRam

تراشه‌های DRam آرایه‌های مستطیل شکل بزرگی از سلول‌های حافظه اصلی با مدارهای منطقی پشتیبان هستند که برای خواندن و نوشتن داده‌ها در داخل آرایه‌ها مورد استفاده قرار می‌گیرند. همچنین از یک مدار بازسازی داده‌ها برای حفظ جامعیت داده‌های ذخیره شده استفاده می‌گردد.

اسلاید 4 :

FPM DRam

در DRam استاندارد که با زمان دسترسی 60 یا 70 نانوثانیه عرضه می‌شوند، خواندن داده‌ها توسط واحد مدیریت حافظه ابتدا با فعال کردن سطر متناظر از آرایه، سپس فعال کردن ستون مناسب ارزشیابی و انتقال داده‌ها انجام می‌شود. سپس ستون مورد نظر نیز فعال شده که باعث wait state ناخواسته می‌شود که CPU باید منتظر بماند تا حافظه کار انتقال را به پایان برساند.

اسلاید 5 :

EDO DRam

در سرعت‌های 506070 نانوثانیه عرضه می‌شود. حافظه‌های EDO DRam نیازی به غیرفعال شدن ستون و خاموش شدن بافر خروجی بیش از آغاز انتقال داده بعدی ندارد و قادر است تا 27% خواندن حافظه را سریعتر از FPU DRam انجام دهد.

اسلاید 6 :

BDEO DRam

این نوع تکامل EDO DRam است که در آن، از EDO, FPU استفاده می‌کند و پیش از آنکه کنترلر بتواند داده‌ها را برای آغازگر بفرستد، بایستی منتظر آماده شدن آنها بماند.

BEDO این wait state را برطرف نموده و در نتیجه، عملکرد سیستم را تا 100% نسبت به RFPU و 50% بیشتر از EDO استاندارد بهبود می‌بخشد.

اسلاید 7 :

SD Ram

حافظه جدیدتر SDRam (Synchronous) با شیوه متفاوتی نسبت به سایر انواع حافظه کار می‌کند. SDRam از این واقعیت که اکثر دسترسی‌های حافظه PC به صورت متوالی هستند، بهره گرفته و برای واکش (Fetch) تمام بیت‌ها در یک Burst (سیکل انتقال) با بیشترین سرعت ممکن، طراحی شده است.

در SDRam، یک on-chip burst counter به بخش ستون آدرس امکان می‌دهد که با سرعت بسیار زیادی افزایش یابد و این مساله باعث شده افزایش قابل توجهی در سرعت بازیابی اطلاعات در خواندن متوالی می‌گردد. کنترلر حافظه، موقعیت و اندازه بلوک حافظه مورد نیاز را تامین می‌کند و تراشه SDRam بیت‌ها را با بیشترین سرعتی که پردازنده قادر به دریافت آنهاست، تغذیه می‌کند. [ویژگی کلیدی SDRam، مزیت مهمی در مقایسه با سایر انواع حافظه ناهماهنگ (Asy) را به آن می‌دهد. امکان‌پذیر ساختن تحویل داده‌ها به خارج از تراشه با سرعت 100burst مگاهرتز به محض آنکه Burst آغاز می‌شود. تمام بیت‌های باقیمانده از طول BUBT با سرعت 10ns تحویل داده می‌شود. [1]

اسلاید 8 :

DDR DRam

همانند SRam استاندارد. این حافظه نیز با FSB یا سرعت گذرگاه داده سیستم رابطه دارد. به عبارت دیگر، حافظه و گذرگاه، دستورالعمل‌ها را به‌طور همزمان اجرا می‌کنند، نه اینکه یکی از آنها مجبور باشد منتظر دیگری بماند.

بطور کلی، برای هماهنگ کردن ابزارهای منطقی انتقال داده‌ها باید در لبه یک کلاک انجام شود. زمانی که پاس کلاک بین 01 نوسان می‌کند، داده‌ها باید یا در لبه صعودی یا در لبه نزولی منتقل شوند. DDR DRam به این ترتیب کار می‌کند که این امکان را بوجود می‌آورد تا عملکرد خروجی بر روی تراشه‌ها در هر دو لبه صعودی و نزولی سیگنال انجام شود. به این ترتیب، فرکانس کلاک بدون افزایش در فرکانس عملی، دو برابر می‌شود، یعنی با دو برابر کردن سرعت گذرگاه، برای انعکاس نرخ داده، دوبل آن محاسبه می‌شود.

اسلاید 9 :

ارتقاء حافظه

حافظه، اخیراً در کنار ارزانتر شدن، پیچیده‌تر می‌شود. غالباً ماژول به عنوان یک «کل» دارای یک شمار متعلقه است و تراشه های حافظه نصب شده بر روی این ماژول، نیز دارای شماره قطعه متفاوتی هستند. تراشه‌ها نیز از 2 یا 3 خط نوشته بر روی خود هستند که شامل شماره قطعه سرعت و کد تاریخ می‌شود. اکثر شماره‌های قطعه با یک اختصار 2 یا 3 کارکتری شروع می‌شوند که شناسه تولید کننده آن هستند. برای مثال، HM برای هیتاچی، MBM برای میتسوبیشی، MT برای میکرون تکنولوژی. اعدادی که پس از آن می‌آیند، پیکربندی تراشه‌های حافظه را شرح می‌دهند. مثلاً HM514400 یک پیکربندی 1M*4 است.

پس از شماره قطعه، معمولاًً یکی از کارکترهای A, B, C, D قرار دارد که تولیدکنندگان از آن برای نمایش بازبینی حافظه استفاده می‌کنند. در این حال، A قدیمی‌ترین و D جدیدترین است.

در بسیاری از موارد، یک کارکتر دیگر نیز وجود دارد که نوع بسته‌بندی حافظه را نشان می‌دهد، برای مثال، HM514400MS بیانگر بسته‌بندی نوع SOY است.

اسلاید 10 :

سرعت حافظه یکی از جنبه‌های مهم هویت آن است. یک تراشه 70MS را می‌توان در انتهای شماره قطعه آن شناسایی کرد. گاهی اوقات یکم خط در پشت سرعت یا سرعت در خط بعدی و یا قبلی نوشته می‌شود. بر روی اکثر تراشه‌ها، یک تاریخ در بالا و  یا زیر شماره قطعه چاپ است که نشانگر تاریخ تولید تراشه است که بر حسب سال و ماه است، مثل 9438 برای هفته 38 و سال 1994 اگر سوکتی خالی نباشد، باید برای ارتقاء حافظه، ماژول‌های حافظه موجود را با ماژول‌های با ظرفیت بیشتر جایگزین کرد و باید حافظه‌ها همه از یک نوع باشند و با حافظه‌های قدیمی انطباق داشته باشند.

فرمت فیزیکی: باید بدانیم که چند پایه‌ای را می‌پذیرد. در هنگام نصب، یک مجموعه از سیم‌ها اطمینان از شباهت آنها و اینکه ظرفیت یکسانی دارند، مهم است.

توازن یا نامتوازن: حافظه Parity دارای 36912 یا 18 تراشه بر روی هر سیم است، در حالیکه، حافظه non-parity، 248 یا 18 تراشه دارد.