مقاله An Optimized High Gain CMOS LNA using Simulated Annealing and Modified Genetic Algorithm با w
مقاله An Optimized High Gain CMOS LNA using Simulated Annealing and Modified Genetic Algorithm با word دارای 6 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله An Optimized High Gain CMOS LNA using Simulated Annealing and Modified Genetic Algorithm با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله An Optimized High Gain CMOS LNA using Simulated Annealing and Modified Genetic Algorithm با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله An Optimized High Gain CMOS LNA using Simulated Annealing and Modified Genetic Algorithm با word :
سال انتشار: 1390
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
تعداد صفحات: 6
چکیده:
This paper proposes two simulation-based evolutionary and statistical approaches for designing a 18 GHz Low Noise Amplifier (LNA) with using 0.13 m technology. Based on genetic algorithm (GA), simulated annealing (SA), the Levenberg- Marquardt (LM), and circuit simulator, the simulation-based methods simultaneously optimize the electrical specifications, such as S-parameters, the noise figure, and the input-referred third-order intercept point in the process. In the designed LNA, the structure of one-stage cascode amplifier with source inductive degeneration is used. This LNA draws 12 mA from the 1.2V power supply. The LNA demonstrates 17.62 dB for S21 and 18.6 dB for MAG at the peak gain frequency of 17.49 GHz. The optimized simulation results show that the proposed LNA has a noise figure (NF) of 1.8 dB in the 17.49 GHz frequency. For large input signal level, P1dB, OIP3, and IIP3 are: -8 dBm, +23 dBm and +11 dBm, respectively
